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admin1个月前278浏览量

    国电南瑞布告公司拟与国家电网有限公司(简称“国网公司”)部属科研单位全球动力互联网研讨院有限公司(简称“联研院”)一起出资建立南瑞联研功率半导体有限责任公司。其间,国电南瑞以“IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块工业化项目”的部分征集资金 55864.45 万元出资,占合资公司 69.83%的股权;联研院以技能作价出资 24135.55 万元(该出资技能的评价值现已国有财物办理单位存案),占合资公司 30.17%的股权。

  国电南瑞科技股份有限公司建立于 2001 年 2 月 28 日,是一所科技公司。是由南京南瑞集团公司作为主建议人,以南京南瑞集团公司部属三家分公司的财物经过重组,联合其它七家战略出资者一起建议建立,2003 年 9 月 24 日在上海证券交易所上市,简称“国电南瑞”。

  公司此次拟添加“IGBT 模块工业化项目”的施行主体,以方案用于该项目设备出资的部分征集资金出资与联研院以技能作价出资一起出资建立合资公司,即由该合资公司施行 IGBT 模块工业化项意图部分出资。触及改变施行主体的方案出资额 55864.45 万元,占“IGBT 模块工业化项目”出资额的 33.98%,占公司征集资金总筹资额的 9.15%,相关征集资金用处、建造内容、地址等不变。

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是国家工业政策要点支撑展开的功率半导体器材,技能难度大、研发及产线建造周期长、资金投入大,中心技能一向被国外企业独占,目前国内高端人才缺少,国内仅有少量厂商展开高压 IGBT 研发事务。联研院是国网公司直属科研单位,国内首家专业从事全球动力互联网关键技能和设备开发的高端科研机构。联研院于 2010 年开端研讨功率半导体器材,具有 100 多人的技能团队和先进的功率器材中试线,是国内少量把握高压 IGBT 芯片规划技能的单位之一。在功率半导体器材范畴,联研院承当国家科技严重专项(02 专项)“国产高压大功率 IGBT 模块电力系统运用工程”等攻关使命,自主研发了 1200V 至 4500V 系列 IGBT、FRD 芯片及器材,其间 3300V/1500A 压接式和焊接式 IGBT 器材,把握成套的规划、制备等中心技能,打破了国外技能独占,成功研发 1200V 至 6500V 碳化硅二极管样品,完成了新一代电力电子器材的严重立异打破。

  经过与联研院协作,有利于公司下降 IGBT 等功率器材技能研发及产品批量化出产的危险,保证中低压、加速高压 IGBT 等功率半导体芯片及模块研发和工业化进程。为加速公司工业链延伸和工业晋级,增强企业中心竞争力,进步公司征集资金运用功率和作用,下降公司募投项目出资危险,公司拟以“IGBT 模块工业化项目”部分征集资金出资与联研院一起建立合资公司,并添加合资公司为该项意图施行主体。

(原标题:国电南瑞与国家电网强强联手?共设功率半导体公司)

(责任编辑:DF515)